Elektronik Ders Notu (TR)

[TA2AOG (SK)]

Linklerin Görülmesine İzin Verilmiyor. Üye Ol ya da Giriş Yap  1,2MB

İ Ç İ N D E K İ L E R
SAYFA
BÖLÜM – I
1            REZONANS DEVRELERİ ................................................................................................. I-1
1.1                   GİRİŞ... I-1
1.1.1      PASİF DEVRE ELEMANLARI........................................................................................... I-1
1.1.2             DİRENÇLİ AC DEVRE... I-1
1.1.3             BOBİNLİ AC DEVRE... I-2
1.1.4             KONDANSATÖRLÜ AC DEVRE...................................................................................... I-3
1.2                   SERİ (RLC) REZONANS DEVRESİ................................................................................... I-5
1.2.1             REZONANS DURUMU... I-6
1.2.2             REZONANS ÜSTÜ ÇALIŞMA................................................................................... ...... I-8
1.2.3             REZONANS ALTI ÇALIŞMA............................................................................................ I-9
1.2.4             SERİ RLC DEVRESİ BAND GENİŞLİĞİ........................................................................... I-11
1.2.5             SERİ (RLC) REZONANS DEVRESİ ÖZELLİKLERİ......................................................... I-16
1.3                   PARALEL REZONANS DEVRESİ..................................................................................... I-18
1.3.1             REZONANS DURUMU... I-19
1.3.2             REZONANS ÜSTÜ ÇALIŞMA DURUMU........................................................................ I-20
1.3.3             REZONANS ALTI ÇALIŞMA DURUMU.......................................................................... I-21
 
BÖLÜM – II

2                         DALGA ŞEKİLLENDİRİCİLER......................................................................................... II-1
2.1                   GİRİŞ... II-1
2.1.1             RC ZAMAN SABİTESİ... II-2
2.1.2             KONDANSATÖRÜN ŞARJ OLMA HIZI.......................................................................... II-4
2.1.3             RL DEVRESİ ZAMAN SABİTESİ ..................................................................................... II-8
2.1.4             ZAMAN SABİTELERİNİN SINIFLANDIRILMASI ......................................................... II-12
2.1.5             DALGA ŞEKİLLENDİRME İŞLEMİ ................................................................................. II-13
2.1.6             TÜREV ALICI DEVRELER ................................................................................................ II-14
2.1.7      İNTEGRAL ALICI DEVRELER ......................................................................................... II-15
 
BÖLÜM – III
 
3                         YARI İLETKEN ESASLARI............................................................................................... III-1
3.1                   GİRİŞ ... III-1
3.1.1             İLETKEN, YALITKAN VE YARIİLETKENLER .............................................................. III-1
3.1.2             SİLİSYUMUN KRİSTAL YAPISI .............................................................................. ...... III-4
3.1.3             SAF SİLİSYUMUN İLETKENLİĞİNİN ARTTIRILMASI ................................................ III-6
3.1.4             N TİPİ YARIİLETKENİN OLUŞUMU .............................................................................. III-7
3.1.5             P TİPİ YARIİLETKENİN OLUŞUMU ............................................................................... III-8
3.1.6             N TİPİ YARIİLETKENDE AKIM YÖNÜ VE ELEKTRON HAREKETİ .......................... III-10
3.1.7             P TİPİ YARIİLETKENDE AKIM YÖNÜ VE OYUK HAREKETİ .................................... III-11
3.1.8             P-N YÜZEY BİRLEŞMESİ VE KRİSTAL DİYODUN OLUŞUMU ................................. III-12
3.1.9             KRİSTAL DİYODUN DÜZ KUTUPLANMASI ( DÜZ POLARMA ) ............................... III-13
3.1.10         KRİSTAL DİYODUN TERS KUTUPLANMASI ( TERS POLARMA ) ............................ III-14
3.2.1             KRİSTAL DİYODUN KARAKTERİSTİKLERİ ................................................................ III-15
3.2.2             DİYOD KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI İÇİN GEREKLİ DEVRE . III-18
3.2.3             ZENER DİYOD ... III-21

BÖLÜM – IV
4                         YARIİLETKEN GÜÇ KAYNAKLARI............................................................................... IV-1
4.1                   GİRİŞ ... IV-1
4.1.1             YARIİLETKEN GÜÇ KAYNAĞI PRENSİPLERİ ............................................................. IV-1
4.1.2             YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ ..................................................................................... IV-3
4.1.3             TAM DALGA DOĞRULTMAÇ ......................................................................................... IV-7
4.1.4             KÖPRÜ TİPİ DOĞRULTMAÇ........................................................................................... IV-10
4.2                   FİLTRE DEVRELERİ ... IV-11
4.2.1             L TİPİ FİLTRE DEVRESİ ................................................................................................... IV-11
4.2.2             p TİPİ FİLTRE DEVRESİ ................................................................................................... IV-12
4.3                   DİYOD DEVRELERİ ... IV-13
4.3.1             GERİLİM LİMİTLEYİCİ DEVRELERİ .............................................................................. IV-13
4.4                   GERİLİM ÇOĞALTICI DEVRELERİ ................................................................................ IV-15
4.4.1             GERİLİM İKİLEYİCİ DEVRESİ ........................................................................................ IV-15
4.4.2             GERİLİM ÜÇLEYİCİ DEVRESİ ........................................................................................ IV-16
4.4.3             KIRPICI VE KENETLEYİCİ DEVRELER ......................................................................... IV-17
4.4.3.1       BASİT KIRPICI DEVRELER ............................................................................................. IV-17
4.4.3.2       BASİT KENETLEYİCİ DEVRELER .................................................................................. IV-18
4.5         ZENER DİYODLA YAPILAN REGÜLATÖRLER ............................................................ IV-18

BÖLÜM – V

5                         TRANSİSTÖRLER... V-1
5.1                   GİRİŞ ... V-1
5.1.1             PNP TİPİ YÜZEY BİRLEŞMELİ TRANSİSTÖRLER ....................................................... V-1
5.1.2             NPN TİPİ YÜZEY BİRLEŞMELİ TRANSİSTÖRLER ....................................................... V-5
6                         NPN TİPİ TRANSİSTÖRDE BEYZ AKIMIYLA KOLLEKTÖR AKIMININ
              KONTROL EDİLMESİ ... V-6
6.1                   TRANSİSTÖR SEMBOLLERİ ........................................................................................... V-7
6.2                   TRANSİSTÖR BAYASLAMALARI .................................................................................. V-7
6.2.1             PNP TİPİ TRANSİSTÖRÜN DÜZ BAYASLANMASI ..................................................... V-8
6.2.2             PNP TİPİ TRANSİSTÖRÜN TERS BAYASLANMASI .................................................... V-9
6.2.3             NPN TİPİ TRANSİSTÖRÜN DÜZ BAYASLANMASI .................................................... V-10
6.2.4             NPN TİPİ TRANSİSTÖRÜN TERS BAYASLANMASI ................................................... V-11
 
BÖLÜM – VI
7                         TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER................................................................................. VI-1
7.1                   GİRİŞ ... VI-1
7.1.1             TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLER ................................................................................ VI-2
7.1.2             TRANSİSTÖRÜN I.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI ............... VI-2
7.1.3             TRANSİSTÖRÜN II.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI .............. VI-4
7.1.4             TRANSİSTÖRÜN III.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI ............. VI-5
7.1.5             TRANSİSTÖRÜN IV.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİSİNİN ÇIKARILMASI ............ VI-6
7.2                   I.BÖLGE KARAKTERİSTİK EĞRİLERİ ÜZERİNDEN TRANSİSTÖRÜN

   ÇIKIŞ EMPEDAMSI, b AKIM KAZANCININ BULUNMASI VE YÜK

              DOĞRUSUNUN ÇİZİLMESİ ............................................................................................ VI-6
7.2.1             TRANSİSTÖRÜN ÇIKIŞ EMPEDANSININ BULUNMASI ............................................ VI-7
7.2.2             TRANSİSTÖRÜN ( b ) AKIM KAZANCININ BULUNMASI ......................................... VI-8
7.2.3             YÜK DOĞRUSUNUN ÇİZİLMESİ ................................................................................... VI-9
6.3                   TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERİN ÇALIŞMA SINIFLARI ...................................... VI-10
6.3.1             A SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ ...................... VI-11
6.3.2             AB SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ .................... VI-13
6.3.3             B SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ ...................... VI-15
6.3.4             C SINIFI ÇALIŞAN TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTECİN İNCELENMESİ ...................... VI-16
6.4                   TRANSİSTÖRLÜ YÜKSELTEÇLERİN BAĞLANTI

............. ŞEKİLLERİNE GÖRE ANALİZİ ....................................................................................... VI-18
6.4.1             EMİTERİ MÜŞTEREK DEVRE ANALİZİ ......................................................................... VI-19
6.4.2             BEYZİ MÜŞTEREK DEVRE ANALİZİ ............................................................................. VI-25
6.5                   GÜÇ YÜKSELTEÇLERİNE GİRİŞ .................................................................................... VI-31
6.6                   DENGELİ GÜÇ YÜKSELTECİ ......................................................................................... VI-31
6.7                   FAZ BÖLÜCÜLER ... VI-33
6.8                   TÜMLER SİMETRİ GÜÇ YÜKSELTECİ .......................................................................... VI-34
6.9                   BEYZİ ORTAK KARIŞIK BAĞLI YÜKSELTEÇLER ...................................................... VI-35
6.10               AMPLİFİKATÖRLERDE KUPLAJ METODLARI ............................................................ VI-37
6.10.1         TRANSFORMATÖR KUPLAJI ......................................................................................... VI-37
6.10.2         RC KUPLAJI ... VI-39
6.10.3         DİREKT KUPLAJ ... VI-40
6.10.4         EMPEDANS KUPLAJI ... VI-41
 
BÖLÜM – VII
7                         ÖZEL YARI İLETKENLER................................................................................................. VII-1
7.1                   GİRİŞ ... VII-1
7.1.1             ALAN ETKİLİ TRANSİSTÖRLER ... VII-1
7.1.2             JFET’İN ÇALIŞMASI ... VII-2
7.1.3             JFET PARAMETRELERİ ................................................................................................... VII-4
7.1.4             MOSFET’LER ... VII-6
7.1.5             MOSFET’İN ÇALIŞMASI ................................................................................................. VII-7
7.1.6             MOSFET’İN KARAKTERİSTİKLERİ ............................................................................... VII-9
7.1.7             JFET’LE YAPILAN YÜKSELTEÇ DEVRE ....................................................................... VII-11
7.1.8             MOSFET’LE YAPILAN YÜKSELTEÇ DEVRE ................................................................ VII-12
7.1.9             UNI JUNKTION TRANSİSTÖRÜN ÇALIŞMA PRENSİBİ ............................................. VII-12
7.1.10         UJT İLE YAPILAN RELAKSASYON ( RELAXTION ) OSİLATÖRÜ ............................ VII-15
7.1.11         SİLİKON KONTROLLÜ DOĞRULTMAÇ ....................................................................... VII-15
7.1.12         TRANSİSTÖRLE YAPILAN GERİLİM KONTROL DEVRESİ ........................................ VII-17
7.1.13         TRİYAK VE UYGULAMALARI ....................................................................................... VII-18
 
BÖLÜM – VIII

8                         ÖZEL TİP YÜKSELTEÇLER.............................................................................................. VIII-1
8.1                   DAR BAND YÜKSELTECİ ............................................................................................... VIII-1
8.2                   GENİŞ BAND YÜKSELTEÇLERİ ..................................................................................... VIII-2
8.2.1             KARE DALGA KARAKTERİSTİĞİ .................................................................................. VIII-3
8.3                   GENİŞ BAND YÜKSELTECİNİN ÇALIŞMA PRENSİBİ ................................................ VIII-4
8.4                   DİFERANSİYEL YÜKSELTEÇLER .................................................................................. VIII-5
8.5                   İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLERE GİRİŞ .............................................................................. VIII-6
8.6                   İŞLEMSEL YÜKSELTEÇLER ........................................................................................... VIII-6
8.7                   OP-AMP’IN KULLANILDIĞI YERLER ........................................................................... VIII-9
8.7.1             OP-AMP’IN FAZ ÇEVİREN YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI ...................... VIII-9
8.7.2             OP-AMP’IN FAZ ÇEVİRMEYEN YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI .............. VIII-10
8.7.3             OP-AMP’IN GERİLİM İZLEYİCİ OLARAK KULLANILMASI ...................................... VIII-12
8.7.4             OP-AMP’IN TOPLAR YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI ................................ VIII-13
8.7.5             OP-AMP’IN FARK YÜKSELTECİ OLARAK KULLANILMASI ................................... VIII-15
8.7.6             OP-AMP’IN KARŞILAŞTIRICI OLARAK KULLANILMASI ........................................ VIII-19
8.7.7             OP-AMP’IN İNTEGRAL ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI ........................... VIII-21
8.7.8             OP-AMP’IN TÜREV ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI ................................. VIII-23
8.7.9             OPAMPIN LOGARİTMİK YÜKSELTEÇ OLARAK KULLANILMASI ......................... VIII-25
8.7.10         OP-AMP’IN YARIM DALGA DOĞRULTMAÇ OLARAK KULLANILMASI ............... VIII-27
8.7.11         OP-AMP’IN TAM DALGA DOĞRULTMAÇ OLARAK KULLANILMASI .................... VIII-29
8.7.12         OP-AMP’IN GERİLİM KONTROLLÜ OSİLATÖR OLARAK KULLANILMASI .......... VIII-30
8.7.13         OP-AMP’IN ALÇAK GEÇİREN FİLTRE OLARAK KULLANILMASI .......................... VIII-31
8.7.14         OP-AMP’IN YÜKSEK GEÇİREN FİLTRE OLARAK KULLANILMASI ....................... VIII-33
8.7.15         OP-AMP’IN BAND GEÇİREN FİLTRE OLARAK KULLANILMASI ............................ VIII-35
8.8                   OP-AMP PARAMETRELERİ ............................................................................................ VIII-37
 
BÖLÜM – IX
9                         DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİ...................................................................... IX-1
9.1                   DALGA MEYDANA GETİRME USULLERİNE GİRİŞ ..................................................... IX-1
9.2                   DALGA ÜRETEÇLERİNİN SINIFLANDIRILMASI ......................................................... IX-1
9.3                   OSİLASYON İÇİN GEREKLİ ŞARTLAR ......................................................................... IX-2
9.4                   SİNÜSOİDAL DALGA ÜRETEÇLERİ .............................................................................. IX-3
9.5                   KRİSTALLER ... IX-4
9.5.1             KRİSTALİN YAPISI VE ÇALIŞMASI .............................................................................. IX-4
9.6                   KARE DALGA ÜRETEÇLERİ VE DEVRE ÇEŞİTLERİ .................................................... IX-5
9.6.1             KARARSIZ ( ASTABLE ) MULTİVİBRATOR .................................................................. IX-5
9.6.2             TEK KARARLI ( MONOSTABLE ) MULTİVİBRATOR .................................................. IX-7
9.6.3             ÇİFT KARARLI ( BISTABLE ) MULTİVİBRATOR ......................................................... IX-8
 
BÖLÜM – X

10                     OSİLATÖRLER... X-1
10.1               OSİLATÖRE GİRİŞ ... X-1
10.2               OSİLATÖR ÇEŞİTLERİ ... X-4
10.2.1         TRANSİSTÖRLÜ FAZ KAYMALI  R-C  OSİLATÖRÜ ................................................... X-4
10.2.2         OP-AMP’LI FAZ KAYMALI  R-C  OSİLATÖRÜ ............................................................ X-5
10.2.3         ARMSTRONG OSİLATÖR ............................................................................................... X-7
10.2.4         SERİ BESLEMELİ HARTLEY OSİLATÖRÜ .................................................................... X-8
10.2.5         PARALEL BESLEMELİ HARTLEY OSİLATÖRÜ ............................................................ X-9
10.2.6         TRANSİSTÖRLÜ COLPITS OSİLATÖRÜ ....................................................................... X-10
10.2.7         OP-AMP’LI COLPITS OSİLATÖRÜ ................................................................................ X-12
10.2.8         VOLTAJ KONTROLLÜ OSİLATÖR ................................................................................ X-13
10.2.9         KRİSTAL KONTROLLÜ OSİLATÖRLER ....................................................................... X-14
10.2.10     TRANSİSTÖRLÜ TESTERE DİŞİ JENERATÖRÜ ............................................................ X-16



Linkback: https://www.radyoamatorleri.com/index.php?topic=675.0