DİĞER DİYOTLAR

[TA3HS]

Tarih: 13/09/2010 17:21

DİĞER DİYOTLAR

MİKRODALGA DİYOTLARI

Mikrodalga frekansları; uzay haberleşmesi, kıtalar arası televizyon yayını, radar, tıp, endüstri gibi çok geniş kullanım alanları vardır Giga Hertz (GHz) mertebesindeki frekanslardır

Mikro dalga diyotlarının ortak özelliği, çok yüksek frekanslarda dahi, yani devre akımının çok hızlı yön değiştirmesi durumunda da bir yönde küçük direnç gösterecek hıza sahip olmasıdır

Mikrodalga bölgelerinde kullanılabilen başlıca diyotlar şunlardır:

 Gunn (Gan) diyotları
 Impatt (Avalanş) diyotları
 Baritt (Schottky)(Şotki) diyotları
 Ani toparlanmalı diyotlar
 P-I-N diyotları

GUNN DİYOTLARI

İlk defa 1963'te JBGunn tarafından yapıldığı için bu ad verilmiştir Gunn diyodu bir osilatör elemanı olarak kullanılmaktadır

Yapısı, N tipi Galliyum arsenid (GaAs) veya İndiyum fosfat (InP) 'den yapılacak ince çubukların kısa kısa kesilmesiyle elde edilir

Gunn diyoda gerilim uygulandığında, gerilimin belirli bir değerinden sonra diyot belirli bir zaman için akım geçirip belirli bir zamanda kesimde kalmaktadır Böylece bir osilasyon oluşmaktadır

Örnek: 10µm boyundaki bir gunn diyodunun osilasyon periyodu yaklaşık 0,1 nanosaniye tutar Yani osilasyon frekansı 10GHz 'dir


IMPATT (AVALANŞ) DİYOT

Impatt veya avalanş (çığ) diyotlar Gunn diyotlara göre daha güçlüdürler ve çalışma gerilimi daha büyüktür Mikrodalga sistemlerinin osilatör ve güç katlarında yararlanılır

1958 'de Read (Rid) tarafından geliştirilmiştirBu nedenle Read diyodu da denir Şekil 333 'te görüldüğü gibi P+ - N - I - N+ veya N+ - P - I - P+ yapıya sahiptir Ters polarmalı olarak çalışır

Yapımında ana elemanlar olarak Slikon ve Galliyum arsenid (GaAs) kullanılır Diyot içerisindeki P+ ve N+ tipi kristaller, içerisindeki katkı maddeleri normal haldekinden çok daha fazla olan P,N kristalleridir

"I" tabakası ise iyonlaşmanın olmadığı bir bölgedir Taşıyıcılar buradan sürüklenerek geçer ve etrafına enerji verirler

Resimlerin Görüntülenmesine İzin Verilmiyor. Üye Ol ya da Giriş Yap

BARITT (SCHOTTKY) DİYOT

Baritt Diyotlar 'da nokta temaslı diyotlar gibi metal ve yarı iletken kristalinin birleştirilmesi ile elde edilmektedir Ancak bunlar jonksiyon diyot tipindedir
Değme düzeyi (jonksiyon) direnci çok küçük olduğundan doğru yön beslemesinde 025V 'ta dahi kolaylıkla ve hızla iletim sağlamaktadırTers yöne doğru akan azınlık taşıyıcıları çok az olduğundan ters yön akımı küçüktür Bu nedenle de gürültü seviyeleri düşük ve verimleri yüksektir

Farklı iki ayrı gruptaki elemandan oluşması nedeniyle baritt diyotların dirençleri (lineer) değildir

Dirençlerin düzgün olmaması nedeniyle daha çok mikrodalga alıcılarında karıştırıcı olarak kullanılır Ayrıca, modülatör, demodülatör, detektör olarak ta yararlanılır

ANİ TOPARLANMALI DİYOT

Ani toparlanmalı (Step-Recovery) diyotlar varaktör diyotların daha da geliştirilmişlerdir Varaktör diyotlar ile frekansların iki ve üç kat büyütülmeleri mümkün olabildiği halde, ani toparlanmalı diyotlar ile 4 ve daha fazla katları elde edilebilmektedir


PİN DİYOT

P-I-N diyotları P+-I-N+ yapıya sahip diyotlardır P+ ve N+ bölgelerinin katkı maddesi oranları yüksek ve I bölgesi büyük dirençlidir

Şekil 334 'te P-I-N diyodunun yapısı verilmiştir

Alçak frekanslarda diyot bir P-N doğrultucu gibi çalışır Frekans yükseldikçe I bölgesi de etkinliğini gösterir Yüksek frekanslarda I bölgesinin doğru yöndeki direnci küçük ters yöndeki direnci ise büyüktür

Diyodun direnci uygulama yerine göre iki limit arasında sürekli olarak veya kademeli olarak değiştirilebilmektedir

P-I-N diyotlar değişken dirençli eleman olarak, mikrodalga devrelerinde, zayıflatıcı, faz kaydırıcı, modülatör, anahtar, limitör gibi çeşitli amaçlar için kullanılmaktadır
Resimlerin Görüntülenmesine İzin Verilmiyor. Üye Ol ya da Giriş Yap

Resimlerin Görüntülenmesine İzin Verilmiyor. Üye Ol ya da Giriş Yap

Resimlerin Görüntülenmesine İzin Verilmiyor. Üye Ol ya da Giriş Yap

BÜYÜK GÜÇLÜ DİYOTLAR

2W 'ın üzerindeki diyotlar Büyük Güçlü Diyotlar olarak tanımlanır Bu tür diyotlar, büyük değerli DC akıma ihtiyaç duyulan galvano-plasti, ark kaynakları gibi devrelere ait doğrultucularda kullanılmaktadır

Tablo 31 'de belirtilmiş olduğu gibi 1500-4000V arası ters gerilime ve 1000A 'e kadar doğru akımına dayanabilen SİLİKON DİYOTLAR üretilebilmektedir

Şekil 335 'te 200A 'lik bir silikon diyot örneği verilmiştir Bu tür diyotlar aşırı akım nedeniyle fazla ısındığından Şekilde görüldüğü gibi soğutuculara monte edilirler

Resimlerin Görüntülenmesine İzin Verilmiyor. Üye Ol ya da Giriş Yap

Resimlerin Görüntülenmesine İzin Verilmiyor. Üye Ol ya da Giriş Yap

Linkback: https://www.radyoamatorleri.com/index.php?topic=30.0